相對于常規(guī) VDMOS器件結構， RDS(on)與BVSS存在矛盾關系，要想提高BVSS，一般都是從減小EPI摻雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI 摻雜濃度減小了，電阻必然變大，RDS(on)增大。否則就需要增大芯片面積，增大封裝外形，增加大量成產成本。所以對于普通 VDMOS，兩者之間的矛盾不可調和。

   采用超結(Super Junction，簡稱SJ)工藝的高壓功率MOSFET，是通過設置一個深入EPI層的P柱區(qū)，通過提高電流傳導區(qū)的摻雜濃度，顯著降低單位面積導通電阻，但同時又不使耐壓受到影響，從而使其成為具有高耐壓和低電阻特性的一種新型器件。特殊的超結結構讓高壓超結MOSFET的內阻在同樣面積情況下降低到傳統(tǒng)平面MOSFET的1/5，開關損耗因此減為普通的VDMOSFET的1/2。

  與傳統(tǒng)的功率 MOSFET相比，SJ-MOSFET具有傳導損耗低、電流驅動能力大、柵極電荷低、開啟電壓低、開關速度快、出色的非鉗位感性開關（Unclamped Inductive Switching， UIS）能力、百分之百的雪崩能量擊穿測試等優(yōu)點。

如上圖所示，目前主要有三種方法制作溝槽：

一、通過多次掩刻，反復注入摻雜，外延生長得到P柱區(qū)，稱為多層外延（Multi-EPI）。此方法注入比較均勻，工藝品質相對容易控制，但生產工序多，生產周期長，成本相對較高。

二、直接挖出深溝槽（Deep-Trench）。通過在Ｎ型外延上開深溝槽，然后再利用外延工藝在溝槽內生長出Ｐ型單晶硅形成在Ｎ型外延上的Ｐ型區(qū)域，然后通過回刻工藝將槽內生長的Ｐ型外延單晶刻蝕到與溝槽表面平齊，以形成縱向Ｐ型區(qū)域。成本相對較低，但不容易保證溝槽內性能的一致性。

三、傾斜角度注入（STM技術）。除了多次注入法，能保證在EPI中注入這么深，并且保證不同位置的濃度差異不大的方法還有STM技術（Super trench MOSFET）。采用傾斜角度注入，實現(xiàn) Super junction的結構。

1.內阻低，通態(tài)損耗降低  

   由于SJ-MOSFET的RDS(on)遠遠低于VDMOS，在產品應用過程中表現(xiàn)為SJ-MOSFET的通態(tài)損耗較之VDMOS大幅減少，減少發(fā)熱，從而提高了產品的能效比，SJ-MOSFET的這個優(yōu)點在大功率、大電流類的電源產品上，優(yōu)勢表現(xiàn)的尤為突出。

 2.封裝體積小，有利于功率密度的提高  

    首先，同等電流、電壓規(guī)格和同等功率條件下，SJ-MOSFET的晶圓面積要遠小于VDMOS工藝的晶圓面積，從而便于封裝成更小尺寸的產品，有利于電源系統(tǒng)功率密度的提高，設計更小體積的電源電路。

其次，由于SJ-MOSFET的導通損耗的降低從而降低了電源類產品的損耗，減少了工作狀態(tài)下導通過程中的熱聚集，從而有利于縮減散熱器的體積，甚至取消散熱器，有效減小了線路板面積和產品外殼尺寸，有效的提高了產品的功率密度，降低成本。

   3.柵電荷小，降低了對電路的驅動能力的要求  

    傳統(tǒng)VDMOS 的柵電荷相對較大，我們在實際應用中會遇到由于IC的驅動能力不足造成的溫升問題，而在電路設計中為了增加IC的驅動能力，確保MOSFET的快速導通，我們不得不增加推挽或其它類型的驅動電路，從而增加了電路的復雜性。SJ-MOSFET 的柵電容相對比較小，這樣就可以降低其對驅動能力的要求，提高了系統(tǒng)產品的可靠性。

    4.結電容小，開關速度加快，開關損耗小  

    由于SJ-MOSFET結構的改變，其輸出的結電容也有較大的降低，從而降低了其導通損耗。同時由于SJ-MOSFET柵電容也有了相應的減小，電容充放電時間變短，提高了SJ-MOSFET的開關速度與頻率，也有利于減小變壓器和電感尺寸。對于頻率固定的電源而言，可以有效的降低其開關損耗，提高整個電源系統(tǒng)的效率。應用在頻率相對較高的電源上，收效更為明顯。

以上優(yōu)勢給客戶帶來整體BOM成本降低，電源效率提升。尤其是便攜式產品，滿足客戶對小型化、輕薄化、低溫升、高性價比、高效率、節(jié)能環(huán)保等方面的要求。